Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Ab initio and scanning tunneling microscopy study of indium-terminated GaAs(100) surface: An indium-induced surface reconstruction change in the c(8x2) structure

Tekijä Lång, J.J.K.; Punkkinen, M.P.J.; Laukkanen, P.; Kuzmin, M.; Tuominen, V.; Pessa, Markus; Guina, Mircea; Väyrynen, I.J.; Kokko, K.; Johansson, B.; Vitos, L.
Lehden/sarjan nimi Physical Review B
Julkaisuvuosi 2010
Volyymi 81
Numero 24, 245305
Sivut 245305-1-245305-9
ISSN 1098-0121
DOI http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.245305
Julkaisutyyppi a1
Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin