Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

1040 nm vertical external cavity surface emitting laser based on InGaAs quantum dots grown in the Stranski-Krastanow regime

Tekijä Strittmatter, A.; Germann, T.D.; Pohl, J.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.; Rautiainen, J.; Guina, M.; Okhotnikov, O.G.
Lehden/sarjan nimi Electronics Letters
Julkaisuvuosi 2008
Volyymi 44
Numero 4
Sivut pp. 290-291
ISSN 0013-5194
DOI http://dx.doi.org/10.1049/el:20083131
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin