Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Cl2/N2-based plasma etching of high-aspect-ratio high-density nanopaterns in AlGaAs/GaAs, GaInAs/InP and AlGaAsSb/GaSb for nanophotonics applications

Tekijä Viheriälä, Jukka; Telkkälä, Jarkko; Viljanen, Milla-Riina; Aho, Antti; Wallenius, Aki; Vartiainen, Ismo; Paajaste, Jonna; Dumitrescu, Mihail
Konferenssin/kokoomateoksen nimi MNE 2010 36th International Conference on Micro & Nano Engineering, Sep 19 - 22, 2010, Genoa, Italy
Julkaisuvuosi 2010
Sivut 1p
Julkaisutyyppi a4 j2tut
Referee artikkeli ja esitelmä tieteellisessä konferenssijulkaisussa, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin