The effect of annealing on highly Be-doped InGaAsN / GaAs single quantum wells
| Tekijä | Pakarinen, J., Peng, C.S., Polojärvi, V., Laukkanen, P., Tukiainen, A., Korpijärvi, V.-M., Puustinen, J., Arola, E. & Pessa, M. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | In: Kärki, O. et al. (eds). Proceedings of the Annual Conference of the Finnish Physical Society, 27-29 March, 2008, Turku, Finland. Åbo Akademi University. Report series in physics |
| Julkaisuvuosi | 2008 |
| Volyymi | 31 |
| Sivut | p. 112 |
| ISBN | 978-951-29-3515-4 |
| ISSN | 0788-9305 |
| Julkaisutyyppi | b3 j2tut Vertaisarvioimaton artikkeli ja esitelmä tieteellisessä konferenssijulkaisussa, kotimainen |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus Fysiikka |