Postgrowth annealing of GaInAs/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum well samples placed in a proximity GaAs box: A simple method to improve the crystalline quality
| Tekijä | Pakarinen, J.; Peng, C.S.; Puustinen, J.; Laukkanen, P.; Korpijärvi, V.-M.; Tukiainen, A.; Pessa, M. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Applied Physics Letters |
| Julkaisuvuosi | 2008 |
| Volyymi | 92 |
| Numero | 232105 |
| Sivut | pp. 232105-1-3 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.1063/1.2943157 |
| Julkaisutyyppi | ar Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |