Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

An effect of As flux on GaAs/AIAs quantum wells: A combined photoluminescence and reflection high-energy electron diffraction study

Tekijä Pakarinen, J.; Polojärvi, V.; Laukkanen, P.; Tukiainen, A.; Laakso, A.; Peng, C.S.; Tuomisto, P.; Korpijärvi, V.-M.; Puustinen, J.; Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Applied Surface Science
Julkaisuvuosi 2008
Volyymi 255
Numero 5, part 2
Sivut pp. 2985-2988
ISSN 0169-4332
DOI http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.08.062
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin