Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Suppression of annealing-induced In diffusion in Be-doped GaInAsN/GaAs quantum well

Tekijä Pakarinen, J., Peng, C.S., Polojärvi, V., Tukiainen, A., Korpijärvi, V.-M., Puustinen, J., Pessa, M., Laukkanen, P., Likonen, J. & Arola, E.
Lehden/sarjan nimi Applied Physics Letters
Julkaisuvuosi 2008
Volyymi 93
Numero 052102
Sivut pp. 052102-1-3
ISSN 0003-6951
DOI http://dx.doi.org/10.1063/1.2966146
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus
Fysiikka

Takaisin julkaisuihin