Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Effects of post-growth annealing on InGaAs quantum posts embedded in Schottky diodes

Tekijä Schramm, Andreas; Polojaävi, Ville; Hakkarainen, Teemu V.; Tukiainen, Antti; Guina, Mircea
Lehden/sarjan nimi Semiconductor Science And Technology
Julkaisuvuosi 2011
Volyymi 26
Numero 5
Artikkelinumero 055017
Sivut 1-4
ISSN 0268-1242
DOI http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/5/055017
Julkaisutyyppi a1
Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin