Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Contactless electroreflectance study of band bending in be-doped GaInNAs/GaAs quantum wells: The origin of photoluminescence enhancement

Tekijä Kudrawiec, R.; Gladysiewics, M.; Misiewicz, J.; Korpijärvi, V-M.; Pakarinen, J.; Puustinen, J.; Laukkanen, P.; Laakso, A.; Guina, M.; Dumitrescu, M.; Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Applied Physics Letters
Julkaisuvuosi 2010
Volyymi 97
Numero 021902
Sivut 021902-1-3
ISSN 0003-6951
DOI http://dx.doi.org/10.1063/1.3462299
Julkaisutyyppi a1
Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin