Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy

Tekijä Paajaste, Jonna; Koskinen, Riku; Nikkinen, Jari; Suomalainen, Soile; Okhotnikov, Oleg G.
Lehden/sarjan nimi Journal of Crystal Growth
Julkaisuvuosi 2011
Volyymi 323
Numero 1
Sivut 454-456
ISSN 0022-0248
DOI http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.073
Julkaisutyyppi a1
Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin