Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Relaxation analysis of tensile-strained GaInP by means of strain-induced wafer curvature

Tekijä Hakkarainen, T.V, Schramm, A., Toikkanen, L., Tukiainen, A. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Zakopane, Poland, 8-11 March, 2009
Julkaisuvuosi 2009
Numero TuP15
Sivut 2 p
Julkaisutyyppi b3 j2tut
Vertaisarvioimaton artikkeli ja esitelmä tieteellisessä konferenssijulkaisussa, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin