Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Room-temperature self-annealing of heavy-ion-irradiated InGaAs/GaAs quantum wells

Tekijä Dhaka, V.D.S.; Tkachenko, N.V.; Lemmetyinen, H.; Pavelescu, E.-M.; Konttinen, J.; Pessa, M.; Arstila, K.; Keinonen, J.
Lehden/sarjan nimi Electronics Letters
Julkaisuvuosi 2005
Volyymi 41
Numero 23
Sivut pp. 1304-1305
ISSN 0013-5194
DOI http://dx.doi.org/10.1049/el:20053117
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Kemia
Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin