Properties of the SiO2- and SiNx -capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN / GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence
| Tekijä | Dahl, J.; Polojärvi, Ville; Salmi, Joel; Laukkanen, Pekka; Guina, Mircea |
|---|---|
| Konferenssin/kokoomateoksen nimi | Applied Physics Letters |
| Julkaisuvuosi | 2011 |
| Volyymi | 99 |
| Numero | 10 |
| Artikkelinumero | 102105 |
| Sivut | 1-3 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.1063/1.3634046 |
| Julkaisutyyppi | a1 Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |