Photoluminescence from GaInP layers and GaInP/AlGaInP quantum wells grown by molecular beam epitaxy with varying growth temperature, phosphorus gas pressure, and substrate orientation
| Tekijä | Toikkanen, L., Leinonen, T., Tukiainen, A., Viitala, S. & Pessa, M. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Journal of Crystal Growth |
| Julkaisuvuosi | 2004 |
| Volyymi | 265 |
| Sivut | pp. 410-419 |
| Julkaisutyyppi | ar Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |