Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

The behaviour of optical and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells upon annealing

Tekijä Karirinne, S., Pavelescu, E-M., Konttinen, J., Jouhti, T. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi New Journal of Physics
Julkaisuvuosi 2004
Volyymi 6
Sivut pp. 192-199
ISSN 1367-2630
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin