Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures
| Tekijä | Hakkarainen, T., Pavelescu, E.-M. & Likonen, J. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Physica E |
| Julkaisuvuosi | 2006 |
| Volyymi | 32 |
| Sivut | pp. 266-269 |
| Julkaisutyyppi | ar Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |