Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells

Tekijä Liu, H.F., Karirinne, S., Peng, C.S., Jouhti, T., Konttinen, J. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Journal of Crystal Growth
Julkaisuvuosi 2004
Volyymi 263
Sivut s. 171-175
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin