Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Deep levels in GaInNAs grown by molecular beam epitaxy and their concentration reduction with annealing treatment

Tekijä Rangel-Kuoppa, V.T. & Dekker, J.
Lehden/sarjan nimi Materials Science and Engineering B
Julkaisuvuosi 2006
Volyymi 129
Sivut pp. 222-227
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin