Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Long-wavelength semiconductor saturable absorber mirrors using metamorphic InP grown on GaAs by molecular beam epitaxy

Tekijä Suomalainen, S.; Vainionpää, A.; Tengvall, O.; Hakulinen, T.; Herda, R.; Karirinne, S.; Guina, M.; Okhotnikov, O.G.
Lehden/sarjan nimi Journal Vacuum Science Technology
Julkaisuvuosi 2006
Volyymi B24
Numero 3
Sivut pp. 1496-1499
DOI http://dx.doi.org/10.1116/1.2197514
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin