Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Growth-temperature-dependent bandgap of MBE-grown GaInNAs epilayers lattice matched to GaAs

Tekijä Pavelescu, E.-M., Wagner, J., Kudrawiec, R., Dumitrescu, M., Konttinen, J., Dhaka, V.D.S., Lemmetyinen, H. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Proceedings 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM 2005), Glasgow, UK, May 8-12, 2005
Julkaisuvuosi 2005
Sivut pp. 540-542
ISBN 0-7803-8891-7
ISSN 1092-8669
DOI http://dx.doi.org/10.1109/ICIPRM.2005.1517553
Julkaisutyyppi a4 j2tut
Referee artikkeli ja esitelmä tieteellisessä konferenssijulkaisussa, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus
Kemia

Takaisin julkaisuihin