Influence of arsenic pressure on photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
| Tekijä | Pavelescu, E.-M.; Hakkarainen, T.; Dhaka, V.D.S.; Tkachenko, N.V.; Jouhti, T.; Lemmetyinen, H.; Pessa, M. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Journal of Crystal Growth |
| Julkaisuvuosi | 2005 |
| Volyymi | 281 |
| Numero | 2-4 |
| Sivut | pp. 249-254 |
| DOI | http://dx.doi.org/doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.04.025 |
| Julkaisutyyppi | ar Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus Kemia |