Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Influence of electron irradiation and postannealing on photoluminescence of GaInNas/GaAs quantum wells

Tekijä Pavelescu, E-M., Gheorghiu, A., Baltateanu, N., Jouhti, T., Cimpoca, V. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi International Semiconductor Conference, CAS 2004, Sinaia, Romania, October 4-6, 2004
Julkaisuvuosi 2004
Volyymi 1
Sivut pp. 217-220
Julkaisutyyppi a4
Referee artikkeli tieteellisessä konferenssijulkaisussa, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin