Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Thermal annealing effect on 1.3-micrometer GaInNAs/GaAs quantum well structures capped with dielectric films

Tekijä Liu, H. f., Peng, C. S., Likonen, J., Konttinen, J., Dhaka, V. D. S., Tkachenko, N., Lemmetyinen, H. & Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi IEE Proceedings - Optoelectronics
Julkaisuvuosi 2004
Volyymi 151
Numero 5
Sivut pp. 267-270
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Kemia
Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin