Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Strain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting laser grown by molecular beam epitaxy

Tekijä Ranta, Sanna; Hakkarainen, Teemu; Tavast, Miki; Lindfors, Jukka; Leinonen, Tomi; Guina, Mircea
Lehden/sarjan nimi Journal of Crystal Growth
Julkaisuvuosi 2011
Volyymi 335
Numero 1
Sivut 4-9
ISSN 0022-0248
DOI http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.08.044
Julkaisutyyppi a1
Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin