Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Comparing morphology studies of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy on GaInP and GaAs

Tekijä Schramm, A., Tukiainen, A., Aho, A.; Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Journal of Crystal Growth
Julkaisuvuosi 2009
Volyymi 311
Numero 8
Sivut 2317-2320
ISSN 0022-0248
DOI http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.02.002
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin