Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiOs capping and thermal annealing on 1.3 um GaIn/GaAs quantum well structures
| Tekijä | Polojärvi, V.; Salmi, J.; Schramm, A.; Tukiainen, A.; Guina, M.; Pakarinen, J.; Arola, E.; Lång, J., Väyrynen, I.J.; Laukkanen, P. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Applied Physics Letters |
| Julkaisuvuosi | 2010 |
| Volyymi | 97 |
| Numero | 11, 111109 |
| Sivut | 111109-1-3 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.1063/1.3487784 |
| Julkaisutyyppi | a1 Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus Fysiikka |