Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Electronic and structural properties of GaAs(100)(2X4) and InAs(100)(2X4) surfaces studied by core-level photoemission and scanning tunneling microscopy

Tekijä Laukkanen, P.; Kuzmin, M.; Perälä, R.E.; Ahola, M.; Mattila, S.; Väyrynen, I.J.; Sadowski, J.; Konttinen, J.; Jouhti, T.; Peng, C.S.; Saarinen, M.; Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Physical Review
Julkaisuvuosi 2005
Volyymi B72
Sivut pp. 045321--1-9
DOI http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.72.045321
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin