Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 um GaInNAs/GaAs quantum wells
| Tekijä | Liu, H.F., Peng, C.S., Likonen, J., Jouhti, T., Karirinne, S., Konttinen, J. & Pessa, M. |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Journal of Applied Physics |
| Julkaisuvuosi | 2004 |
| Volyymi | 95 |
| Numero | 8 |
| Sivut | s. 4102-4104 |
| Julkaisutyyppi | ar Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |