Dislocation-induced electron and hole levels in InAs quantum-dot Schottky diodes
| Tekijä | Polojärvi, V.; Schramm, A.; Aho, A.; Tukiainen, Antti; Pessa, Markus |
|---|---|
| Lehden/sarjan nimi | Physica E |
| Julkaisuvuosi | 2010 |
| Volyymi | 42 |
| Numero | 10 |
| Sivut | 2610-2613 |
| ISSN | 1386-9477 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2009.10.058 |
| Julkaisutyyppi | a1 Referee alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, kansainvälinen |
| Laitos | Optoelektroniikan tutkimuskeskus |