Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

Optoelektroniikan tutkimuskeskus

The influence of As/III pressure ratio on nitrogen nearest-neighbor environments in as-grown GaInNAs quantum wells

Tekijä Kudrawiec, R., Korpijärvi, V.-M., Poloczek, P., Misiewicz, J., Laukkanen, P., Pakarinen, J., Dumitrescu, M., Guina, M.; Pessa, M.
Lehden/sarjan nimi Applied Physics Letters
Julkaisuvuosi 2009
Volyymi 95
Numero 261909
Sivut pp. 261909-1 -261909-3
ISSN 0003-6951
DOI http://dx.doi.org/10.1063/1.3275712
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus

Takaisin julkaisuihin