Julkaisu - Tampereen teknillinen yliopisto

> In English
Fysiikan laitos

Beryllium doping of GaAs and GaAsN studied from first principles

Tekijä Komsa, H.-P.; Arola, E.; Pakarinen, J.; Peng, C.S.; Rantala, T.
Lehden/sarjan nimi Physical Review B
Julkaisuvuosi 2009
Volyymi 79
Numero 115208
Sivut pp. 115208-1-9
ISSN 1098-0121
DOI http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.79.115208
Julkaisutyyppi ar
Artikkeli kansainvälisessä referee-lehdessä
Laitos Optoelektroniikan tutkimuskeskus
Fysiikka

Takaisin julkaisuihin